1、深紫外LED灯珠发光机理：PN结的端电压构成一定势垒，当加正向偏置电压时势垒降低，P区和N区的大都载流子向对方分散。因为电子迁移率比空穴迁移率大得多，所以会呈现大量电子向P区分散，构成对P区少量载流子的写入。这些电子与价带上的空穴复合，复合时得到的能量以光能的方法开释出去。这即是PN结发光的原理。

2、深紫外LED灯珠发光功率：通常称为组件的外部量i子功率，其为组件的内部量i子功率与组件的取出功率的乘积。所谓组件的内部量i子功率，本来即是组件自身的电光转换功率，首要与组件自身的特性（如组件资料的能带、缺点、杂质）、组件的垒晶构成及构造等相关。而组件的取出功率则指的是组件内部产生的光子，在通过组件自身的吸收、折射、反射后，实践在组件外部可测量到的光子数目。

  因而，对于取出功率的因素包含了组件资料自身的吸收、组件的几许构造、组件及封装资料的折射率差及组件构造的散射特性等。而组件的内部量i子功率与组件的取出功率的乘积，即是整个组件的发光作用，也即是组件的外部量i子功率。早期组件开展会集在进步其内部量i子功率，首要办法是通过进步垒晶的质量及改动垒晶的构造，使电能不易转换成热能，进而直接进步深紫外LED灯珠的发光功率，然后可获得70%摆布的理论内部量i子功率，可是这么的内部量i子功率几乎现已挨近理论上的极限。