深紫外线LED灯珠的波长可调性主要得益于以下几个技术因素：

一、半导体材料的选择与调整
深紫外线LED灯珠的发光波长与其所使用的半导体材料的带隙能密切相关。通过改变半导体材料的组成和结构，可以调整其带隙能，从而改变发光波长。例如，氮化铝镓（AlGaN）是一种常用的深紫外线LED半导体材料，通过调整铝（Al）和镓（Ga）的比例，可以连续调节发光波长。这种材料组成的灵活性为深紫外线LED灯珠的波长可调性提供了基础。

二、量子阱结构的设计
量子阱结构是深紫外线LED灯珠中的关键部分，它对发光波长具有重要影响。通过精确设计量子阱的宽度、深度和组成，可以进一步微调发光波长。量子阱结构的这种设计灵活性使得深紫外线LED灯珠能够在更宽的波长范围内实现可调性。

三、制造工艺的优化
制造工艺的优化也是实现深紫外线LED灯珠波长可调性的重要因素。通过改进外延生长技术、精确控制掺杂浓度和分布、优化封装工艺等，可以进一步提高深紫外线LED灯珠的性能和波长可调性。这些制造工艺的优化不仅提高了灯珠的发光效率和稳定性，还为其波长可调性提供了更多可能性。

四、电流与电压的调控
虽然电流和电压的调控不是直接改变半导体材料的带隙能，但它们可以通过影响载流子的注入和复合过程来间接影响发光波长。通过精确调控电流和电压，可以在一定程度上微调深紫外线LED灯珠的发光波长，从而实现更加精细的波长控制。

综上所述，深紫外线LED灯珠的波长可调性主要得益于半导体材料的选择与调整、量子阱结构的设计、制造工艺的优化以及电流与电压的调控等技术因素。这些技术因素的共同作用使得深紫外线LED灯珠能够在不同的应用场景中实现更加精准和高效的波长调节。